15.10.2010

Японские инженеры создают новые чипы ReRAM

Японские компании Sharp и Elpida Memory объединили усилия для создания чипов резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Они смогут обеспечить в 10 000 раз более высокую скорость записи, чем распространенная сегодня флэш-память стандарта NAND. В режиме ожидания разрабатываемые чипы практически не будут потреблять энергию.

Разработка ведется в партнерстве с Токийским университетом и японским Национальным институтом передовых индустриальных наук и технологий (AIST). Ожидается, что коммерческие образцы новых чипов появятся в 2013 году.

ReRAM — это вид хранения информации, нестираемый при отключении питания, который отличается низким энергопотреблением. Данная технология в перспективе может заменить флэш-память, которая в настоящее время используется в мобильных телефонах и MP3 плеерах.
 
ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя — то есть памяти, которая может вести себя, как Flash, DRAM или жесткий диск. Мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее современных твердотельных накопителей и могут сохранять информацию даже при выключенном питании.
 
 
Мемристор (сокр. от англ. "memory resistor" — «резистор памяти ») был предложен в качестве четвертого основного элемента электросхемы профессором Университета Калифорнии (Berkeley) Леоном Чуа в 1971г. и впервые реализован на практике разработчиками Лабораторий НР, главного научно-исследовательского подразделения компании, в 2006г.

 

Нравятся наши материалы? Вы можете помочь проекту!

1